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厂商型号

+SPD03N60S5 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

173-SPD03N60S5

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:27900
1+¥5.1624
25+¥4.7771
100+¥4.623
500+¥4.3918
1000+¥4.1607
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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+SPD03N60S5 datasheet 规格书
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标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.4 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5.5V @ 135µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 420pF @ 25V
功率 - 最大 38W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
包装 3TO-252
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 3.2 A
RDS -于 1400@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 35 ns
典型上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型下降时间 15 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 6.22
PCB 2
最大功率耗散 38000
最大漏源电压 600
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1400@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 3
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 3.2
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.2A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5.5V @ 135µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 PG-TO252-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.4 Ohm @ 2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 38W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 420pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SPD03N60S5INCT
工厂包装数量 1
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 3.2 A
零件号别名 SP000307393 SPD03N60S5BTMA1
下降时间 15 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
商品名 CoolMOS
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 xPD03N60
RDS(ON) 1.4 Ohms
功率耗散 38 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 25 ns
漏源击穿电压 600 V
associated RE901
FK 244 13 D PAK
FK 244 08 D PAK

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